삼성전자사 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에서 4나노미터(1nm=10억분의 1m) 수율을 75% 이상까지 끌어올리면서 대형 고객사 확보에 마음을 놓을 수있게됐다.
하이투자증권은 11일 내놓은 보고서를 통해 삼성전자 파운드리의 4나노 수율을 75% 이상, 3나노는 60% 이상으로 추정했다. 수율 60%는 고객사 제품을 안정적으로 양산할 수 있는 수준으로 평가된다.
삼성전자는 과거 7나노 이하 초미세공정 양산 초기마다 수율 안정화에 실패했다. 이에 따라 엔비디아, 퀄컴 등 글로벌 팹리스들이 경쟁사인 대만의 TSMC로 이탈하는 것을 막지 못했다.
그러나 4나노부터 수율을 빠르게 높이는 데 성공하고 있다. 4나노는 현재 주요 팹리스 업체들이 대부분 사용하고 있는 공정으로, 수율 향상에 따른 고객사 물량 수주에도 긍정적일 것으로 예상된다.
삼성전자가 단기간 내 수율을 개선한 배경으로는 역설적이게도 최근 반도체 업황 부진을 들 수있다.
반도체 업체들은 설비투자가 줄어드는 상황에서도 선단공정 R&D 비용을 크게 줄이기 어려운데, 팹(공장) 가동률 하락으로 테스트 웨이퍼 투입량을 늘리며 초미세공정 수율을 개선할 수 있었다는 분석이 나온다.
세계 최초 게이트올어라운드(GAA) 방식의 3나노 공정을 양산한 기술력은 삼성전자의 최대 경쟁력이다.
GAA는 삼성전자가 3나노 공정부터 적용한 차세대 트랜지스터 제조 기술이다. 게이트가 채널의 4면을 둘러싸고 있는 구조의 트랜지스터로, 게이트가 3면과 접촉하는 기존 핀펫(FinFET)보다 성능·전력 소모 등에서 우위를 보인다. 2나노부터 GAA 방식을 적용하는 TSMC보다도 한 발 앞서 GAA 기술을 채택했다.
SDG뉴스 임명재 기자