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하이닉스 낸드 집적기술, 삼성전자 앞질러

SK하이닉스, 세계 최초 128단 4D 낸드플래시 양산...적층 128단으로 1Tb 구현

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128단 4D낸드(사진=SK하이닉스 제공)

[e경제뉴스 이춘영 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 데이터 저장 공간을 128단으로 쌓은 1Tb(테라비트) 용량의 TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시를 개발해 양산에 들어간다고 26일 밝혔다. 지난해 10월 96단 4D 낸드 개발 이후 8개월 만이다.

SK하이닉스가 이번에 양산하는 128단 낸드는 업계 최고 적층이다.

한 개 칩에 3b(비트) 데이터를 저장하는 낸드 셀 3600억개 이상이 집적된 1Tb 제품이다. 삼성전자가 90단대 낸드를 양산하고 있는 것에서 한 발 더 나아간 것이다.

SK하이닉스는 이를 위해 자체 개발한 4D 낸드 기술에 △초균일 수직 식각 기술 △고신뢰성 다층 박막 셀 형성 기술 △초고속 저전력 회로 설계 등 기술을 적용했다고 설명했다.

이 제품은 또 낸드 시장의 85% 이상을 차지하고 있는 주력 제품인 TLC로 업계 최고 용량인 1Tb를 구현했다. 데이터 저장 공간을 높게 쌓아올린 덕에 저장 공간을 대폭 늘릴 수있게 된 것이다.

기존에도 96단 QLC(Quadruple Level Cell) 1Tb급 제품은 있었지만, QLC보다 성능·처리속도 등이 더 나은 TLC로 초고용량 낸드를 구현한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 4D 낸드의 최대 장점인 ‘작은 칩’을 최대한 활용한 결과라고 회사 측은 설명했다.

이번에 개발한 128단 1Tb 4D 낸드는 웨이퍼(반도체의 원재료)당 비트 생산성이 기존 96단 4D 낸드 대비 40% 향상됐다. 같은 제품에 공간활용을 극대화하기 위한 PUC(Peri Under Cell) 기술을 적용하지 않은 경우와 비교해도 비트 생산성이 15% 이상 높다.

SK하이닉스는 기존 96단 낸드에서 32단을 추가 적층하면서도 전체 공정 수를 5% 줄였다고 밝혔다.

이를 통해 128단 낸드로의 전환 투자비용을 이전 세대 대비 60% 절감할 수 있다는 것이다. 지난해 10월 개발한 4D 낸드 공정 플랫폼을 그대로 활용하면서도 공정 최적화를 한 결과다.

SK하이닉스는 올 하반기부터 128단 4D 낸드플래시 판매를 시작할 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 "이 제품은 데이터 전송속도 1400Mbps를 저전압(1.2V)으로 구현하기 때문에 고성능 저전력 모바일 솔루션, 기업용 SSD(저장장치)로 만들 수 있다"고 말했다.

오종훈 SK하이닉스 부사장은 "128단 4D 낸드 개발·양산을 통해 낸드 사업의 근원적 경쟁력을 확보하게 됐다"면서 "업계 최고 적층, 최고 용량을 구현한 제품으로 고객들이 원하는 다양한 솔루션을 적기에 제공할 것"이라고 말했다.

 

 

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