[e경제뉴스 임명재 기자] SK하이닉스가 반도체 불황에도 공격적 경영에 나섰다. 중국 생산거점인 우시에서 D램 신공장(웨이퍼제조공장) ‘C2F’가동에 들어갔다.
파일럿 생산은 시작됐고 다음달에는 본격 양산에 돌입한다. 다만 D램 가격의 불확실성이 큰 상황이라 추가 생산규모는 시황에 따라 탄력적으로 결정하기로 했다.
공격적 경영을 좋지만 현대차와 롯데의 경우를 고려하면 중국에서의 과도한 투자는 불안감도 적지않다는 지적이 있다.
더구나 중국경제도 미국과의 무역분쟁 등으로 전망이 불투명한 상황이다. 중국경제가 본격 불황에 들어가면 직격탄을 맞지나 않을까하는 우려도 나온다.
SK하이닉스는 18일 중국 우시에서 D램 추가 생산라인 'C2F' 준공식을 개최했다고 밝혔다.
'C2F'는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것으로, SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 생산라인 확장을 결정한 뒤 착공해 이날 준공식을 가진 것이다. 확장 공사에 9500억원이 투입됐다.
우시 팹(FAB)은 SK하이닉스의 D램 거점으로, 전체 D램 물량의 40%를 생산하고 있다. 이번 추가 생산라인에서는 하이닉스의 주력제품인 20나노 초·중반(2z·2y nm)과 10나노 후반(1x nm) 제품이 생산된다.
'새로운 도약, 새로운 미래'를 주제로 열린 이 날 준공식 행사에는 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다. 최태원 SK그룹 회장은 참석하지 않았다.
이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎥(1만7500평, 길이 316m, 폭 180m, 높이51m)의 단층 팹으로, 기존 C2 공장과 비슷한 규모다.
SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 다만 D램 시황이 불확실한 만큼, 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다.
SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다. 당시 건설된 C2는SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다.
하지만 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌다. 이에 SK하이닉스는 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억 원을 투입해 추가로 반도체 생산공간을 확보했다.
SK하이닉스 우시FAB담당 강영수 전무는 "C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다"며 "C2F는 기존 C2 공장과 '원 팹(One FAB)'으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화할 것"이라고 말했다.